真正的汽车0级认证和低压1级汽车级 EEPROM 支持下一代特性

2018-10-23 16:39:00·  来源:安森美半导体  
 
我们处于恶劣的环境中,对于集成电路更甚,最常见的可能是汽车。在汽车行业,常需设计能承受温度达 +125C 的电子控制单元以实现安全至上的特性,对于满足这一要

我们处于恶劣的环境中,对于集成电路更甚,最常见的可能是汽车。在汽车行业,常需设计能承受温度达 +125°C 的电子控制单元以实现安全至上的特性,对于满足这一要求的器件,行业标准是 AECQ-100 汽车1级,其中1级指该器件已经过在 -40°C 到 +125°C 之间的环境温度范围内运行的测试。

这很重要,因为器件的数据表通常将说明在 +25℃ 的环境温度下的性能,并显示这种性能随温度变化的情况;工作温度越高,在整个温度范围内的性能就越好。因此,制造商热衷于指定现在可达汽车0级的器件,即 -40°C 到 +150°C 的温度范围,特别是对于安全至上的应用,如驾驶员辅助、制动系统和一般发动机管理。

许多电子控制单元 (ECU) 现在严重依赖非易失性内存来存储校准数据、日志数据和固件以支持这些特性。闪存并不适合汽车1级或0级环境,因为潜在工艺已针对消费者应用进行了优化,这意味着高密度和高性能。在汽车应用中,速度和密度的重要性次于耐用性和保存时间,在这里,EEPROM 是非易失性存储器的首选形式。用于制造 EEPROM 的工艺更适合于承受恶劣的环境,这在安森美半导体的 AECQ-100 汽车1级和0级 EEPROM 系列中尤为明显。这一系列中的旗舰器件是 NV25080、NV25160、NV25320 和 NV25640,它们是真正的汽车0级 EEPROM,分别提供8、16、32和65 Kbit 的密度。

作为当今汽车行业唯一真正的汽车0级 EEPROM,它们耐400万次读/写周期,是安森美半导体等同于汽车1级器件的4倍多,数据保存时间为200年。它们还具有错误代码纠错的特性,在硬件上实现,并应用于存储的每一个字节的数据。当数据被写入时,器件自动生成和存储相应的3位代码。如果存储字节中的任何位被破坏,那么通过将其与3位代码进行比较将显而易见,此时器件将自动更正它。所有的纠错都是自动进行的,并且对主机处理器是透明的。汽车0级 EEPROM 的范围提供此级别的纠错。

汽车1级器件也提供100万次循环使用的优异的耐用性和100年的数据保存时间,但具有更低的 1.8V 供电电压的额外优势,这在许多汽车应用中越来越重要。它们还实现高达64千字节的器件中纠错,这适用于存储的每半个字节 (4位) 数据。

在汽车中,我们所依赖的更多功能现在被考虑为安全至上,这意味着它们必须满足更高的要求。在这类应用中,闪存不可取,有了汽车1级和真正的汽车0级 EEPROM,汽车整车厂 (OEM) 就可接入所需的非易失性存储器来支持下一代特性。

 
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