技术创新:Ricardo和Nexperia合作开发氮化镓电动车逆变器
因为氮化镓场效应晶体管GaN FET会让系统以低成本实现更高的效率,更好的热管理性能和简便的开关技术。在汽车领域,这意味着车辆将具备更大的续航里程– 这是任何人购买电动车的主要关注焦点。GaN正在逐渐代替SiC或者基于硅元素的IGBT,作为插电混动或纯电动车逆变器的优选技术。
Nexperia去年推出了一系列经过AEC-Q101审核的GaN设备,为汽车设计师们提供了一个不断扩大的产品线,使相应的高效技术领域具有被证实的、可靠的设备,以满足电动化动力系统对能量密度的需求。Ricardo在汽车行业享有盛名,这个全球工程创新公司设计并开发汽车行业的解决方案,包括样机和模型生产、和行业领先企业合作,如McLaren和Bugatti。Ricardo是该项目上与Nexperia合作的最佳伙伴。
Nexperia的GaN总经理Michael LeGoff对此做出评价:“通过为逆变器设计GaN设备,并和Ricardo进行测试,我们将能更好地理解一个车辆如何更安全和可靠地运作。我们在开发一个真正的解决方案,它将让众多汽车工程师们产生兴趣,并且从中发现极大的产品优势。“
“半导体技术是逆变器系统效率的关键因素,在电动化车辆的性能和效率上起到重要作用,“Ricardo的技术和产品主管Adrian Greaney补充道。”在显著改善开关速度和效率上,氮化镓是一项真正的强大技术。在实现更大续航里程的同时,它让我们能够降低逆变器的装机大小和重量,这就又使动力系统设计更具灵活性,从而为量产提供优势。在我们从系统层面考察设计的话,将看到多项相关的优势。因此Ricardo非常乐意和Nexperia合作开发GaN设备。”
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