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集成电路的可靠性测验之 — 高温储存试验

2019-04-19 12:16:35·  来源:东方中科  
 
近年来,集成电路技术得到了快速发展,特征尺寸不断缩小,集成度和性能不断提高。为了减小成本,提升性能,集成电路技术中引入大量新材料、新工艺和新的器件结构
近年来,集成电路技术得到了快速发展,特征尺寸不断缩小,集成度和性能不断提高。为了减小成本,提升性能,集成电路技术中引入大量新材料、新工艺和新的器件结构。这些发展给集成电路可靠性的保证和提高带来了巨大的挑战。
 
可靠性定义中“规定的时间”即常说的“寿命”。根据国际通用标准,常用电子产品的寿命必须大于10年。显然,我们不可能将一个产品放在正常条件下运集成电路可靠性介绍行10年再来判断这个产品是否有可靠性问题。因此我们常常把样品放在高电压、大电流、高湿度、高温、较大气压等条件下进行测试,然后根据样品的失效机理和模型来推算产品在正常条件下的寿命。
高温储存试验
  • 目的:评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间
  • 测试条件:150℃
  • 失效机制:化学和扩散效应,Au-Al 共金效应
  • 参考标准:
  • MIT-STD-883E Method 1008.2
  • JESD22-A103-A
  • EIAJED- 4701-B111
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