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国创中心为新能源汽车国产自主车规半导体树立更高标准

2019-12-12 22:42:00·  来源：国创中心NEVC  
　
在内蒙古呼伦贝尔市海拉尔区，最低气温低达零下40℃，国家新能源汽车技术创新中心（简称国创中心）正在此高寒试验基地进行国产半导体芯片的极限低温测试。12月初
在内蒙古呼伦贝尔市海拉尔区，最低气温低达零下40℃，国家新能源汽车技术创新中心（简称“国创中心”）正在此高寒试验基地进行国产半导体芯片的“极限低温”测试。


12月初开始，国创中心携搭载国产自主硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、碳化硅二极管和碳化硅MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的试验车来到海拉尔，进行为期一个月、单车累计6000公里的低温试验，以验证在高寒真实车况下，国产自主车规半导体的性能和可靠性表现。通过反复测试国产车规半导体在各种极端情况下的质量状况和适应能力、及对标试验，与国外产品进行全项目对比分析，发现问题并实施改进措施，最终为助推国产自主车规半导体上车应用，提供公开透明的测试认证和咨询服务。

今年7月国创中心已在高温40℃以上的吐鲁番进行了为期一个月的“极限高温”测试项目。按照汽车行业的测试标准，车规半导体分别进行试验室功性能、常温试验场、高温试验场、高寒试验场测试，以验证车规半导体在不同工况下的性能和可靠性，预计2020年4月份完成所有测试项目，届时向行业发布测试结果，加快国产半导体上车步伐。 
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